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文章來源 : 廣東優科檢測 發表時間:2023-06-07 瀏覽數量:
高溫反向偏壓試驗(High TemperatureReverseBias),簡稱HTRB。是分立器件可靠性最重要的一個試驗項目,實驗在高溫條件下,模擬器件長時間工作狀態中的耐受能力,以此可推算出實際應用中器件的壽命和應力大小。在器件量產或使用前按照實際應用場景模擬實驗,提前摸清器件應力情況,可完全避免因應力、環境導致的失效及影響,是出廠器件必不可少的一項老化實驗。
暴露器件跟時間、應力相關的缺陷,衡量當前器件是否滿足規定的標準要求,排查出封裝或晶圓本身的質量問題。
可覆蓋車規、工規及AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JEDEC、 JESD 22-A108、JEDEC、 JESD 22-A101、MIL-STD-750、GJB 128等相關標準要求。
可覆蓋各種半導體分立器件(二極管、三極管、MOSFET 管 (增強型、耗盡型)、達林頓管、可控硅、IGBT)進行高溫反偏試驗,適用于各種封裝。
優科實驗室具備AEC-Q100/101/102/103/104/200標準檢測資質和檢測能力,可提供車規級集成電路、分立半導體器件、光電半導體器件、傳感器、被動元件等汽車電子元件AEC-Q檢測認證服務。我們可依據產品使用條件和質量指標,定義符合汽車電子質量要求的測試計劃,助力客戶快速進入汽車電子市場。
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